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Si4654DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.020
0.016
0.012
0.00 8
0.004
0.000
I D = 15 A
T A = 125 °C
T A = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.5
0.2
- 0.1
- 0.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 5 mA
170
136
102
6 8
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 0.7
- 1.0
I D = 250 μA
34
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
10
1 ms
10 ms
1
100 ms
1s
0.1
10 s
DC
T A = 25 °C
Single P u lse
0.01
0.01
0.1 1 10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 69813
S09-0138-Rev. C, 02-Feb-09
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SI4660DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 25V 23.1A 5.6W 5.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4662DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 18.6A 6.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4662DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 18.6A 6.25W 10mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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